大功率激光打标机半导体激光器结构的生成，不同的反应堆需要不同的条件。流动状态的核反应堆中温度范围的优化是有必要的。不同的进程通常需要不同的最优化温度。设有一套可利用的参数。相反，对每种装置，晶体生长都需要找特别的关于材料质量和均匀性优化条件。反应堆几何形状的优化生长参数和数字模型。以用于补给通常的经验方法。这样得到在组成上得到非常好的均匀性并从一个薄片发射波长以及从一个薄片到另一个薄片发出波长。运用不同的反应堆类型，MOVPE已成功地用于以AIGaAs／GaAs、GaInAsP7GaAs和AIGalnp／GaAs为薄片的大功率激光打标机半导体激光器的生产，当前选择以InP为基片的激光器。--东莞激光切割机

    激光打标机半导体激光器结构是通过低压长出来的。在反应堆后一个顺流抽水系统包括一个抽水泵、一个压强控制截流阀和网颗粒及凝结材料的分离器。在离开泵以后，流出的气体通过湿或干的化学洗涤器或穿过一个炉子消除有毒材料。当大量的含磷材料产生时，对废气的处理就特别麻烦了。磷的自燃性很危险，必须加以控制，AIGaInP基片的大量需求致使用各种方法在废气系统中寻找磷的残留物。冷的分离器使磷凝结回收较容易，但有堵塞的危险。每几个运转以后，通过放入氧化物来阻止大量磷化物的聚集。--东莞激光切割机

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